氧化铝与氮化铝陶瓷比较【详解】
关于陶瓷基板，我们可以分为氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板两大类。所以，让我们很多朋友不知道如何选择。为了让大家能够选到最合适的陶瓷基板，这里来具体的介绍下，氮化铝陶瓷基板与氧化铝陶瓷基板的区别?
一、首先，介绍下氧化铝陶瓷基板：
1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。
2、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。
3、氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷，因为其优越的性能，在现代社会的应用已经越来越广泛，满足于日用和特殊性能的需要。
二、其次，介绍下氮化铝陶瓷基板：
1、氮化铝陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic)是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。
2、AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。
3、化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。
4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。
5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。
6、此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。
通过以上小编介绍的，氮化铝陶瓷基板与氧化铝陶瓷基板，我们可以看出，他们的区别还是很大的，而目前氧化铝陶瓷基板的用途更为广泛，其优越的性能，比氮化铝陶瓷基板更胜一筹。
扩展资料：
氮化铝陶瓷应用：
1、氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。
2、氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
3、氮化铝硬度高,超过传统氧化铝,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造价高,只能用于磨损严重的部位.
4、利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。
5、氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。 利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。
